سنتز نانو ذرات نقره برای کاربرد در تهیه جوهر مدارهای چاپی الکترونیکی انعطاف پذیر

در این پژوهش، پارامترهای موثر بر سنتز نانو ذرات نقره به روش احیای شیمیایی بهینه سازی و یک الگوی انعطاف پذیر رسانا با استفاده از نانو ذرات نقره ساخته شد. مواد اولیه مورد استفاده شامل نمک نیترات نقره (agno3) به عنوان منبع یون نقره، پلی وینیل پیرولیدون به عنوان عامل پایدارکننده سطحی و گلوکز (c6h12o6) به عنوان عامل احیاکننده بود. به منظور بررسی و بهینه سازی پارامترها از طراحی تاگوچی با ماتریس ترکیبی l9 استفاده و پاسخ مورد اندازه گیری اندازه ذرات تعیین شد. چهار پارامتر تأثیرگذار در واکنش احیا به صورت سرعت افزودن محلول، دما، نسبت وزنی احیاکننده به نمک نقره و نسبت وزنی پلی وینیل پیرولیدون به نمک نقره تعیین گردیدند و هرکدام در سه سطح در نظر گرفته شدند. از تحلیل واریانس نیز برای دست یابی به اندازه کوچک ترین ذره استفاده شد. همچنین مطالعات ساختاری، ریخت شناسی، ابعادی و پراکندگی ابعادی نانو ذرات سنتز شده به ترتیب از طریق آنالیز پراش اشعه ایکس (xrd)، میکروسکوپ الکترونی روبشی-گسیل میدان (fe-sem) و آنالیز پراکندگی دینامیکی نور (dls) مورد بررسی قرار گرفت. شرایط بهینه برای واکنش احیا به صورت سرعت افزودن محلول (ml/min 1/0)، دمای واکنش (c?90)، نسبت وزنی گلوکز به نیترات نقره (g/g 3)، نسبت وزنی پلی وینیل پیرولیدون به نیترات نقره (g/g 2/3)، ، تعیین شد. در شرایط یاد شده نتیجه مورد انتظار 20 نانومتر به دست آمد و آزمون تأیید از نتایج fe-sem نیز نانو ذراتی با اندازه 25 نانومتر را نشان داد. همچنین دمای واکنش با درصد مشارکت 97/74% به عنوان موثرترین پارامتر انتخاب شد. در بخش دوم پژوهش با استفاده از نانو ذرات نقره، رزین اپوکسی و اتانول خمیر نقره ساخته و روی زیر لایه انعطاف پذیر از جنس pet اعمال شد. مشخص شد مقاومت الگوی انعطاف پذیر در حدود 5/7 برابر بزرگ تر از مقاومت نقره در حالت بالک است که نتیجه بسیار رضایت بخشی در زمینه چاپ قطعات الکترونیکی انعطاف پذیر می باشد.